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IPB080N03L G

Infineon Technologies

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產(chǎn)品概述

型號(hào) IPB080N03L G
廠家/品牌 Infineon Technologies
產(chǎn)品描述 N-CHANNEL POWER MOSFET
數(shù)據(jù)庫
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 1250 pcs

參考價(jià)格(美元)
1
$0.43

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)IPB080N03L G
  • 制造商Infineon Technologies
  • 描述N-CHANNEL POWER MOSFET
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)1250 pcs Stock
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開，最小Rds開）4.5V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds1900 pF @ 15 V
  • 系列OptiMOS?3
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）50A
  • 漏極至源極電壓（Vdss）30 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs18 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 安裝類型Surface Mount
  • 包裹Bulk
  • 功率耗散（最大）47W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TO263-3-2
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)2.2V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓8mOhm @ 30A, 10V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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